Τεχνολογία – Επιστήμη

Οι πρώτες μονάδες DDR4 DRAM 30nm από τη Samsung

Η Samsung, ο παγκόσμιος ηγέτης στις λύσεις προηγμένης τεχνολογίας ημιαγωγών, ανακοίνωσε ότι ανέπτυξε τις πρώτες μονάδες DRAM DDR4 της βιομηχανίας χρησιμοποιώντας τεχνολογία κατασκευής κλάσης 30 νανόμετρων (nm).

«Η Samsung έχει υποστηρίξει ενεργά τη βιομηχανία πληροφορικής εγκαινιάζοντας την πρωτοβουλία πράσινης μνήμης με φιλικά προς το περιβάλλον, καινοτόμα προϊόντα μνήμης κάθε χρόνο με υψηλή απόδοση και απόδοση ενέργειας», λέει ο Dong Soo Jun, επικεφαλής του τμήματος μνήμης Samsung.

Οι νέες μονάδες DRAM DDR4 επιτυγχάνουν ρυθμό μεταφοράς 2.133 gigabit ανά δευτερόλεπτο στα 1,2 V. Από την άλλη, αυτή η τιμή παραμένει περίπου 1,6 Gbps σε τσιπ 1,35V και 1,5V DDR3 DRAM. Ειδικά όταν πρόκειται για φορητούς υπολογιστές, υπάρχει 40% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας με τις μονάδες μνήμης DDR4.

Ο συγγραφέας, του οποίου η γνωριμία με τους υπολογιστές χρονολογείται από τη δεκαετία του 2000, έγραψε άρθρα για τα περιοδικά CHIP Online καθώς και για τα περιοδικά CHIP και LEVEL το 2007 και έγινε ο Hardware Editor του CHIP, του τουρκικού περιοδικού τεχνολογίας με τις μεγαλύτερες πωλήσεις το 2010. Recep Baltaş, ο οποίος έκανε περισσότερα από 1000 κριτικές προϊόντων κατά τη διάρκεια αυτής της περιόδου, αποχώρησαν από αυτή τη θέση στα τέλη του 2011 και άρχισε να εργάζεται ως Ειδικός Μάρκετινγκ στην ASUS Τουρκίας. Ο τελευταίος σταθμός του Baltaş, που είναι γνήσιος Technopat, είναι το Technopat.net.

Related Articles

Αφήστε μια απάντηση

Back to top button